27.12.2020

Двойники кварца с параллельными осями


Дофинейский закон. (Синонимы: ориентационное двойникование, электрические двойники, двойникование по швейцарскому закону.) Отдельные части двойника геометрически совмещаются при повороте на 180° вокруг оси с и относятся к одной энантиоморфной группе. Кристаллографические оси индивидов располагаются параллельно, но полярные электрические заряды пьезоэлектрических осей а в сдвойникованных частях имеют противоположный знак, отсюда эти двойники иногда называют «электрическими». Дофинейские двойники, образовавшиеся в результате срастания двух правых или двух левых кристаллов, по-видимому, встречаются одинаково часто. Дофинейские двойники почти всегда относятся к типу прорастания. Поверхность двойникового срастания в кристалле обычно имеет неправильную форму и ориентирована вертикально (фиг. 47). Сдвойникованные части обычно образуют сложные прорастания, по форме напоминающие губку (фиг. 48), или, как это видно на выпиленных и протравленных базальных разрезах, распределяются секториально, грубо подчиняясь симметрии с осью третьего порядка (фиг. 49). Характер распределения секторов, по-видимому, зависит от положения граней головки кристалла или ребер в кристаллах призматического габитуса. Как это видно на вершинных гранях r и z, двойниковые границы обычно имеют неправильные очертания, хотя местами они могут быть прямолинейными; в некоторых случаях они проходят вдоль или примерно вдоль ребра rz, далее часто опускаются в направлении граней призмы, приближаясь к углу mrz, и затем грубо параллельно следуют, ребру призмы. Если присутствует грань тригонального трапецоэдра, например х, может возникнуть входящий угол между х и (сдвойникованной) гранью m. На кристаллах с признаками естественного травления вдоль двойникового шва иногда заметны углубления с неровными краями.
Двойники кварца с параллельными осями

В редких случаях два индивида близкого размера могут сочленяться по неправильной, сложной, почти вертикальной поверхности. Хорошо образованные кристаллы этого типа могут состоять из двух сросшихся в виде контактных двойников индивидов с большими входящими углами при вершинах и боковых гранях; отдельно взятые грани r и z в этих двух частях двойника параллельны. Морфология таких двойников зависит от природы входящего угла при вершине: этот угол может быть образован ларами гранен r, граней z или ребер rz. Наблюдались идиоморфные кристаллы в виде двойников прорастания, состоящие из полностью слившихся индивидов, в головках которых развита лишь форма r. На каждой грани r одного индивида выступает в виде фронтона ребро ромбоэдрических граней другого индивида (см. фиг. 50 и 51).

Дофинейские двойники невозможно выявить оптическими методами но они могут быть установлены при помощи травления кристалла или выпиленной «из него пластинки. Доказательством наличия дофинейских двойников служат также: присутствие участка грани z (обычно она тусклая) в r, и наоборот, разрыв сплошности горизонтальных штрихов на (1010) вертикальной извилистой канавкой, направленной в сторону ребра грани призмы, и морфологические особенности распределения граней s, х и других обычных форм. Исследование дофинейского и других типов двойникования в кварце может производиться при помощи лауэграмм. Электрические заряды, возникшие в результате сдавливания или изменения температуры на концах осей а, в сдвойникованных частях противоположны по знаку; однако испытания такого рода могут быть проведены только в специально ориентированных разрезах. Границы на поверхности граней, обусловленные наличием линейной структуры или субпараллельных сростков кристаллов, могут быть ошибочно приняты за поверхности срастания двойников. В идеальном дофинейском двойнике, имеющем вертикальные поверхности срастания, тригональный трапецоэдр повторяется у каждой из шести граней призмы, располагаясь вверху и внизу у противолежащих углов этой грани, а тригональная пирамида 5 аналогичным образам повторяется у каждой из двенадцати вершин mrz (фиг. 52, 53). Полный комплект сдвойникованных граней простых форм в верхней и нижней частях кристалла встречается редко; обычно присутствуют только немногие неравномерно развитые грани. Грани нижней части кристалла в большинстве случаев отсутствуют, так как призматические кристаллы одним из концов оси с обычно прикрепляются к какому-либо основанию. Закономерное повторение граней объясняется тройным секториальным распределением индивидов двойника. Некоторые разновидности дофинейских двойников представлены также на фиг. 18, 54 и 55.

Присутствие дофинейских двойников в большей степени, чем бразильских, отражается на морфологии кристаллов и возможности практического использования кварца, так как сдвойникованные части кристалла, как правило, имеют более или менее одинаковые объемы. Бразильские двойники обычно представляют собой небольшие включения индивида одной энантиоморфной группы в периферических частях кристалла с противоположным характером энантиоморфизма. Прецессионные рентгеновские гониометрические измерения, произведенные по обе стороны от границы природных дофинейских двойников, видимых на срезах или полированных поверхностях, показывают расхождение кристаллографических направлений в несколько дуговых минут.

Двойникование по дофинейскому закону было установлено в кварце в 1816 г, Вейссом, который обнаружил двойники прорастания с входящими углами, аналогичными тем, которые показаны на фиг. 51. Ранее дофинейские двойники обычного типа без входящих углов были описаны Гаюи, который, однако, не относил их к двойниковым образованиям. Дофинейский двойник оказался также среди кристаллов, зарисованных Каппелером (1723 г.). В работе Гаюи «Traite de mineralogies, в разделе, посвященном кварцу, на фиг. 15 показан (несомненно, идеализированный) двойник левого кварца с гранями х{5161}, равномерно повторяющимися на всех гранных углах верхней и нижней частей кристалла. Описание дофинейского двойника этого габитуса было использовано Гершелем, который воспроизвел данную фигуру из работы Гаюи в своем исследовании о вращении кварцем плоскости поляризации и связи этого явления с морфологией кристалла. Гершель также не распознал двойниковую природу этого образца. Двойникование не оказывает влияния на вращение плоскости поляризации, так как характер энантиоморфизма и ориентировка оптической индикатрисы в индивидах двойника идентичны. Ta же самая фигура без каких-либо объяснений воспроизводится во всех изданиях «Системы минералогии» Дэна, вплоть до шестого (1892 г.), в котором она была заменена сходным рисунком кристалла противоположной группы энантиоморфизма с различимыми поверхностями срастания двойников. Распознавание дофинейских двойников по чисто морфологическим признакам при отсутствии входящих углов часто весьма затруднительно и точные данные о широком распространении этих двойников отсутствовали до тех пор, пока Лейдольт в 1855 г. не показал возможность их диагностики путем травления кристаллов в растворителе.

Вторичные дофинейские двойники. Дофинейские двойники могут быть получены искусственно: при инверсии высокотемпературного кварца в низкотемпературный в результате охлаждения первого до температуры около 573° С {12}; путем термического шока при резком охлаждении образца, нагретого до температуры 200° 13 ; посредством приложения интенсивного электрического поля; путем создания местных напряжений при комнатной или несколько более высокой температуре; с помощью температурного градиента, возникающего в пластинке при ее охлаждении с переходом через точку инверсии, а также при деформациях типа чистого изгиба или скручивания, вызываемых в пластинках или брусках кварца при температуре 573—300°. Дофинейские двойники исчезают при нагревании кварца до температуры выше 573°, так как в этом случае обусловливающее двойникование вращение вокруг тройной оси низкотемпературного кварца заменяется вращением вокруг шестерной оси высокотемпературного кварца. При охлаждении в одних случаях происходит повторное образование дофинейских двойников, в других не происходит. Количество и распределение двойников, возникших в процессе инверсии, зависит от скорости охлаждения, температурных градиентов в образце, размера и формы образца, присутствия или отсутствия дофинейских двойников в исходном, не нагретом образце и от состава кварца. Локализация двойников зависит также от дефектов на ребрах пластинок и от включений. Двойникование в процессе инверсии является главным образом следствием напряжений, возникающих в кварце и связанных с термическим растрескиванием (фиг. 56, 57). В относительно тонких пластинках при снижении скорости охлаждения возрастает количество двойников и уменьшается количество трещин. Сфера действия процесса двойникования и образования трещин увеличивается, если используются целые кристаллы или угловатые обломки их; причем чем больше размер испытуемого образца, тем более отчетливы эти явления. Особенности распределения дофинейских двойников, искусственно полученных в пластинках определенного размера и выявленных при помощи травления, отражают градиенты упругих деформаций, возникающих в процессе цикла нагревания и охлаждения образца. Образовавшиеся в пластинках термические трещины либо окаймляются дофинейскими двойниками, либо распределяются в соответствии с общим размещением двойников. Двойники этого типа также могут быть получены механическим изгибанием или скручиванием пластинок при температурах ниже 573° или посредством охлаждения образца в интервале температур, включающем точку инверсии.

Дофинейские двойники могут возникать при быстром охлаждении тонких пластинок, которые были нагреты до температуры около 200° и выше, но ниже точки инверсии. Область двойникования и трещинообразования расширяется с увеличением температурного интервала закалки. В некоторых случаях двойники образуются и в нетрещиноватых участках, иногда по определенной системе. В очень сильно трещиноватых пластинках двойникование не проявляется. Тонкие пленки дофинейских двойников могут возникать на поверхности распила кварцевых кристаллов, если распиловка сопровождалась заметным выделением тепла за счет трения. Двойники, возникшие таким способом, могут локализоваться в кристалле в определенных зонах роста, и способность к двойникованию этого типа значительно варьирует в разных кристаллах и в наибольшей мере проявляется в кристаллах относительно чистого кварца.

Небольшие геометрически правильные участки дофинейских двойников образуются при комнатной температуре при надавливанни стальными шариками или круглыми металлическими наконечниками на плоские поверхности кристаллов. Для этого достаточно небольшое давление порядка 10 кг/мм2, причем с повышением температуры давление уменьшается. Форма сдвойникованных участков зависит от ориентировки поверхности (фиг. 58, 59). Для того чтобы двойники были хорошо заметны, поверхность должна быть слегка пришлифована и затем протравлена. Гранины сдвойникованных участков расположены вдоль плоскостей {1010} н {0001}. Двойникование увеличивается с возрастанием величины нагрузки и времени ее приложения, причем, для того чтобы получить такой же эффект двойникования при небольших нагрузках, требуется значительно больше времени. Каждая кристаллографическая поверхность характеризуется определенными минимальными величинами нагрузки и времени, необходимыми для образования двойников. Для образования двойников на плоскостях {1010} и {1120} требуется меньшее давление и более короткое время приложения его, чем на {0001}. Вторичные дофинейские двойники, возникшие в кристалле под влиянием местных напряжений, обычно образуют участки, имеющие правильную геометрическую форму. На фиг. 60 показана идеализированная форма двойниковых участков, возникших под действием силы, направленной радиально от центра кристалла. Двойниковые участки представлены двенадцатью тригональными призмами, расположенными попеременно выше и ниже точки приложения усилия. Такое расположение напоминает распределение естественных дофинейских двойников, часто заметное на протравленной поверхности базальных сечений и имеющее ось симметрии третьего порядка (см. фиг. 49). На основании экспериментальных исследований можно предположить, что вторичные дофинейские двойники должны часто встречаться в кварцевых породах, подвергшихся одностороннему сдавливанию. Пластинка, вырезанная из несдвойникованного монокристалла, может быть превращена также в монокристаллическую пластинку, которая тем не менее явится по отношению к первой двойником, поскольку структура кристалла приобретает новую ориентировку под углом 180° по отношению к первоначальному положению.


Так, пластинка, вырезанная параллельно {0111}, при нагревании до температур выше точки инверсии или при механическом сдавливании при низких температурах может перейти в пластинку, параллельную {1011}. В этом случае наличие «двойникования» можно установить кристаллографическими испытаниями. Если же пластинки имеют другую ориентировку, для установления двойникования этого типа необходимы дополнительные данные.

Для уничтожения дофинейских (электрических) двойников в кристаллах технического кварца и изготовленных пластинках и брусках была проделана большая исследовательская работа, имеющая практическое значение. Несмотря на то что был достигнут значительный успех, метод, который бы позволил на 100% избавиться от двойников, разработать не удалось. При решении этого вопроса необходимо учитывать следующие основные факторы: размер и форму кварцевых пластинок, наличие и кристаллографическую ориентировку в пластинке температурных градиентов и градиентов механического напряжения, температуру, а также состав и историю формирования кварцевого кристалла. Наименее успешно дофинейские двойники ликвидируются с помощью чисто термических методов; в этом случае обычно необходимо применение изгиба или кручения, обусловливающих возникновение градиента натяжения. Получить полностью воспроизводимые результаты в идентичных пластинках, вырезанных из разных кристаллов кварца, обычно невозможно, главным образом в связи с неоднородностью самого кварца. В зависимости от кристаллографической ориентировки пластинки и распределения в ней напряжений несдвойникованные и сдвойникованные участки стремятся к некоторому определенному расположению в пластинке. Продольное сжатие или растяжение, по-видимому, не влияет на изменение двойниковых границ. Частично удалось установить связь между кристаллографической ориентировкой пластинок и величиной крутящего момента при раздвойниковании кварца. Векторная величина усилия при раздвойниковании равна нулю для дисков и пластинок, вырезанных перпендикулярно {0001} (2-сечение), {1120} (У-сеченне) или {1010} (Х-сечение); она имеет небольшое значение для пластинок Х-ceчения, обладающих прямоугольной формой с удлинением в плоскости {1120} под углами 0 или 90° по отношению к оси с. В так называемых вращающихся У-сечениях, к которым относится большая часть ориентированных пластинок, используемых как стабилизатор высоких частот, векторная величина раздвойникования имеет относительно большое значение для разрезов, наклоненных к с примерно на 20—70°.

Вторичное двойникование по дофинейскому закону, по-видимому, следует рассматривать как пьезоэффект, вызванный изменением положения атомов под влиянием ориентированного давления. При возникновении дофинейского двойника происходит незначительное перемещение атомов, и связи Si-O не разрушаются. Существует лишь небольшое угловое различие ориентировки связей в индивидах двойника. Под влиянием ориентированных напряжении достаточной величины, вызванных внешним механическим воздействием или возникновением внутреннего температурного градиента, происходит перемещение переходной зоны на границе двойниковых индивидов, в результате которого кристаллическая структура приходит в равновесие с новой системой напряжений. Считают, что возникновение дофинейских двойников при инверсии может быть также связано со случайным появлением в процессе этого превращения отдельных центров кристаллизации, повернутых один относительно другого на 180°, и последующим их разрастанием. Роль случая возрастает в связи с природой структурных соотношений между высоко- и низкотемпературным кварцем. Это можно достаточно отчетливо представить себе как процесс перехода от шестерного линейного расположения атомов Si в плоскости {0001} высокотемпературного кварца к тронному зигзагообразному расположению их в низкотемпературном кварце. Изменение угла связей в процессе инверсии высокотемпературного кварца в низкотемпературный может происходить двумя равнозначными путями; при этом угол поворота равен 180°. Если оба указанных способа одновременно проявляются в различных частях кристалла, то в результате образуется дофинейский двойник. Связанные с этим явлением деформации, вызванные в двойнике более или менее правильно распределенными напряжениями, развивающимися в процессе двойникования, а также установленное влияние изменения состава кварца позволяют предположить, что контролирующее влияние на образование инверсионных двойников оказывает пьезоэффект. В любом случае разрастание двойниковых границ продолжается после того, как кварц охлажден ниже температуры точки инверсии.

В кварце установлена связь между следующими явлениями: склонностью кварца к образованию дофинейских двойников, интенсивностью дымчатой окраски, вызванной рентгеновским облучение, наличием элементов-примесей. Способность различных кристаллов кварца к двойникованию непостоянна. Кварц, который содержит в виде твердого раствора относительно большие количества других элементов, обладает меньшей склонностью к двойникованию и в большей степени противострит растрескиванию при термическом шоке, что преимущественно связано с возрастанием предела упругости вследствие наличия рассеянных элементов-примесей. В кварце подобного типа при рентгеновском облучении возникает относительно интенсивное окрашивание. Кроме того, если дофинейский двойник существовал в исходном образце кварца, то при его нагревании выше точки инверсии и последующем охлаждении границы вновь образующегося двойника стремятся занять прежнее положение. С другой стороны, чистый кварц двойникуется легко и в меньшей степени подвержен рентгеновской радиации; кроме того, в нем в меньшей мере проявляется тенденция к повторному возникновению двойников прежних контуров. Кристаллы кварца, обладающие зональной или сегментной структурой (причем состав, сегментов различен), отличаются сложной реакцией на те или иные названные здесь явления. В тех случаях, когда в экспериментах применялись термическое воздействие и приложение напряжений кручения, наблюдались гребенчатые вторичные двойники, которые развивались в зонах роста, приобретающих наиболее интенсивную окраску при рентгеновском облучении.

Бразильский закон. (Синонимы: чайрельское двойникование, оптические двойники.) Сдвойникованные индивиды связаны друг с другом плоскостью срастания {1120} и обладают разным типом энантиоморфизма. Оси кристалла параллельны, но полярность электрических зарядов осей а в сдвойникованных частях обратная (см. фиг. 46). Обычно бразильские двойники представляют собой топкие пластинки или тела небольшого размера (сателлиты), в большинстве случаев геометрически правильной формы включенные в крупный кристалл противоположной группы знак тиоморфизма (фиг. 61). Для них характерна способность концентрироваться в периферических частях кристалла-хозяина. Если рассматривать двойниковые пластинки в поляризованном свете в направлении оси с, то они выглядят как прямоугольные треугольники (причем основание треугольника параллельно грани призмы, гипотенуза параллельна другой грани призмы, расположенной под углом 120° к первой, а третья сторона параллельна

{1120} иди как равносторонние треугольники, все три стороны которых параллельны следам граней призмы (см. фиг. 48). В трех измерениях сдвойникованные включения могут иметь форму неправильных полиэдров, ограниченных одной или двумя гранями, такими, как {1010}, {1011}, {0111}, {0001} и {1121} (см. фиг. 61). Двойниковые включения, часто очень тонкие, могут иметь характер вытянутых полос или полисинтетических двойников (фиг. 62, 63). Плоскостью уплощения или срастания пластинчатых двойниковых индивидов обычно является грань r{1011}. Для полисинтетических двойников характерно преобладание одной плп двух из трех эквивалентных плоскостей формы r. Плоскостью срастания также может служить плоскость z, в этом случае одновременно присутствуют пластинчатые двойники с плоскостью срастания r. Известны кристаллы, содержащие один или два равномерных слоя бразильских двойников толщиной в 1 см и более, которые пересекают кристалл в направлении, параллельном грани r. Аметист, по-видимому, во всех случаях состоит из серии очень правильных полисинтетических двойников бразильского типа, которые имеют характер тонких чередующихся полос, расположенных параллельно вершинной грани г или граням r и z. Почти всегда бразильские двойники относятся к типу прорастания, но иногда полностью развитые правый и левый индивиды образуют двойник срастания с весьма большими входящими углами. Статистикой установлено, что бразильские двойники в целом одинаково характерны как для правого, так и для левого кварца, хотя в каждом конкретном случае обычно резко преобладает либо правый, либо левый индивид, В большинстве кристаллов кварца одновременно имеются как бразильские, так и дофинейские двойники.

Присутствие бразильских двойников можно установить путем изучения кристалла в поляризованном свете (отсюда и название «оптический двойник»), так как в сдвойникованных частях плоскость поляризации вращается в противоположных направлениях. Возможность изучения бразильских двойников оптическими методами была впервые подчеркнута Гротом. Однако эти двойники неразличимы при исследовании кварцевых зерен пород в прозрачных шлифах под микроскопом. Величина угла поворота плоскости поляризации в шлифе базальной пластинки толщиной 0,03 мм в натровом свете составляет 0,65°. Лучше всего двойники исследовать в кристаллах, помещенных между скрещенными поляризаторами в прозрачном контейнере, заполненном жидкостью, показатель преломления которой близок к показателю преломления кварца, Кристаллы необходимо рассматривать под небольшим углом к оптической осн. Бразильские двойники обычно имеют клиновидную форму. В соответствии со своей толщиной они характеризуются несколькими порядками интерференционной окраски, тогда как толщина кристалла-хозяина настолько целика, что он обладает однородной окраской чрезвычайно высокого порядка. Поэтому относительно мелкие включения индивидов бразильского двойника противоположной по отношению к кристаллу-хозяину группы энантиоморфности выделяются в виде ярко окрашенных участков треугольной формы. Интерференционные цвета включающего кристалла также могут иметь вид полос, окаймляющих основание и верхнюю часть кристалла и отражающих неправильные контуры этих поверхностей. Бразильские двойники, представленные однообразными пластинками большой толщины, трудней определить при помощи оптических методов, хотя и в этом случае соответствующие оптические эффекты можно наблюдать вдоль поверхностей срастания индивидов. Комбинированные двойники также оказывают влияние на поляризованный свет, и, если для их определения используются только оптические методы, они могут быть спутаны с бразильскими двойниками. Для разграничения этих двух типов двойников при оптических исследованиях, вероятно, практически удобным, хотя и недостаточно надежным признаком могут служить размеры и особенно форма сдвойникованных участков.

Для идентификации бразильских двойников также могут быть использованы особенности морфологии сдвойникованных кристаллов и методы травления. Однако возможность подобных определении обычно отпадает ввиду небольших размеров двойниковых включении, особенно при полисинтетическом двойниковании. Для идеального бразильского двойника характерно повторение пары граней тригонального трапецоэдра, расположенных поочередно выше и ниже определенного уровня грани призмы. Полный комплект двойниковых граней, как показано на классическом рисунке Розе (см. фиг. 64), в природе, вероятно, никогда не встречается. Обычно присутствует только небольшое число двойниковых граней неодинакового размера, и они редко встречаются попарно. Описан бразильский двойник с дитригональной призмой, грани которой в парном сочетании последовательно повторялись на каждом ребре призмы. На гранях призмы кристалла бразильские двойники обычно имеют вид небольших горизонтальных полос или участков полигональной формы, отличающихся внешне от вмещающей их копланарной грани m. Более заметны они на гранях кристалла после сильного травления. При наличии полисинтетических двойников на грани призмы могут быть заметны горизонтальные штрихи, в то время как штрихи, параллельные ребрам rz или rr, могут проявляться на вершинных гранях ромбоэдров. В поперечном изломе полисинтетические двойниковые индивиды могут выглядеть подобно следам ряби.

Случаи искусственного получения бразильских двойников не известны, их также нельзя ликвидировать нагреванием кристалла до температуры выше 573°, при которой происходит превращение в высокотемпературный кварц. Бразильские двойники впервые были описаны и определены Дж. Розе в 1846 г., причем он не пользовался оптическими методами. Ранее как Гершель (1821 г.), так и Вейсс (1816 г.) описали кристаллы, которые, вероятно, представляли собой бразильские двойники. Брюстер описал прорастания правого и левого кварца в аметисте, которые, как мы теперь знаем, относятся к бразильским двойникам. Свое название эти двойники получили в связи с их проявлением в кристаллах кварца из Бразилии, однако па самом деле бразильские двойники в равной мере распространены повсеместно.

Комбинированный закон. (Синонимы: двойники Лейдольта, двойники Либиша, сложное двойникование, дофинейско-бразильские двойники.) Геометрическое положение сдвойникованных частей обусловлено комбинацией вращения па 180° вокруг оси с и отражения относительно {1120} или просто отражением относительно {0001}. Оси кристалла параллельны, но в отличие от дофинейских и бразильских двойников в данном случае электрические заряды осей а сдвойникованных индивидов имеют одинаковые знаки (см. фиг. 46). Этот редкий тип двойникования известен давно, однако точного его описания не было вплоть до второй мировой войны, когда при помощи травления, необходимость которого была вызвана использованием кварца в производстве резонаторных пластинок, были обнаружены несколько сдвойникованных по этому закону кристаллов. Сдвойникованные идиоморфные кристаллы, характеризующиеся повторением простых форм, по-видимому, отсутствуют. Идеализированный облик двойников прорастания по комбинированному закону может варьировать в зависимости от положения поверхностен срастания. Если поверхности срастания периодически повторяются на плоскостях {1010}, то двойниковая пара граней левого и правого тригонального трапецоэдра будет располагаться выше и ниже и крест-накрест по отношению к чередующимся ребрам призмы; головка кристалла в этом случае шестигранна и составлена чередующимися между собой тремя правыми и тремя левыми гранями r. Если поверхности срастания периодически повторяются на плоскостях {1120}, то грани тригонального трапецоэдра развиваются так же, как в простом несдвойникованном кристалле, правом или левом. В этом случае вершина будет шестигранной, причем каждая грань представлена копланарными поверхностями: правой r и левой z. В одной из работ было изображено несколько кристаллов гипотетического габитуса с характерными фигурами травления на гранях. На протравленных поверхностях срезов комбинированные двойники проявляются в виде относительно крупных участков, ограниченных неправильными или плоскими поверхностями срастания, параллельными вершинной грани r. Присутствуют также и дофинейские двойники. Двойникование по комбинированному закону хорошо различается на поверхности протравленных срезов при рассмотрении световых фигур, возникающих от точечного источника света, помещенного за изучаемой пластинкой. Световые фигуры, возникающие в индивидах по обе стороны от двойникового шва, отличаются только по типу энантиоморфности.

Двойники по комбинированному закону напоминают другие двойники с параллельными осями, состоящие из двух соприкасающихся кристаллов. Бразильский двойник, расположенный целиком в одной какой-либо части дофинейского двойника, связан с другой частью этого двойника по способу комбинированного закона, однако с генетической точки зрения такой агрегат нельзя рассматривать как пример данного закона. Ассоциации этого типа обычны, но настоящие сдвоенные двойники встречаются редко. Комбинированные двойники были получены при искусственном наведении двойникования по дофинейскому закону двойниковатости; этот эффект, например, достигается при охлаждении уже сдвойниковаиного кварца по бразильскому закону в температурном интервале, включающем точку инверсии 573°. Комбинированный двойник образуется в том месте, где вторичный дофинейский двойник пересекает первичный бразильский.





Яндекс.Метрика